防静电电子产品的放电手册

本手册为军用电子产品电子元器件、组件和设备按照国家军用标准GJB 1649《电子产品防静电放电控制大纲》的要求，制定、实施和检查产品的静电放电防护控制计划提供了技术指南。

本手册适用于静电放电敏感电子产品的静电防护控制，提供的技术原理和资料、数据也可供其他类别的静电放电敏感产品在静电防护控制过程中参考使用。

应用指南，和GJB 1649的关联性，各项要求的付诸实施将形成对静电放电敏感电子产品全寿命期连续的静电防护控制。

因此GJB 1649的各项要求即适用于军用敏感电子产品的承制方，也适用于这些产品的使用方。具有相同的适用范围。通过包含的各项附录中的技术数据、资料做了补充。

表1给出了GJB 1649的各项要求、提供的技术指南和各项附录补充技术资料三者之间的相互关联关系。

表 1 本手册及其附录和GJB 1649相应条款的关联性
GJB 1649有关要求的章条号	本手册提供的实施指南的章条号	本手册提供补充资料的附录编号
1.1 1.2 1.3 4 5.1，5.1.1 5.2，5.2.1 5.2.1.1，5.2.1.2 5.3.1 5.3.2 5.4 5.5，5.5.1 5.6 5.7 5.8，5.8.1 5.8.2 5.8.3 5.8.3.1 5.9，5.9.1，5.9.2 5.10 5.11，5.11.1，5.11.2 5.12 5.12.1，5.12.2 5.13	1.1 1.2 1.3 4.1 5.1 5.2，5.2.2 5.2.1 5.3.1 5.3.2 5.4，5.4.1 5.5 5.6 5.7 5.8 5.8.1 5.8.2 5.8.3 5.9 5.10 5.11 5.12 5.12 5.13	C B、C D D D F、G、H G H I                   G、J G、J D、E B

除表1所列外，本手册附录A与GJB 1649和本手册的各章条内容均相关联。

使用时需考虑的问题，有三个相互关联的问题在使用GJB 1649和本指导性技术文件时需加以考虑。

这三个问题是：剪裁：GJB 1649已在其中指明，它的各项要求在使用时允许剪裁。实施程序为首先由产品承制方按照产品特点和订购方提供的使用环境条件要求，从该标准的表1中选取合适的控制要素和负责执行的职能部门，并经过订购方书面认可。

关键件：当订购方指明其所订购的静电放电敏感电子产品属于重点工程所用的关键性设备或这种设备上所用的敏感元器件、组件时，其静电放电控制计划应包括对3级敏感产品的防护。

否则只包括对1、2级敏感产品的防护。

采购：对于新设试制的硬件产品，其订购合同中应将GJB 1649表1的各项要求包括进行。相反，对于非试制产品，例如商业成品、普通工业用产品或从前未按照GJB 1649要求生产的产品。订购时应删去GJB 1649中的设计防护要求，在有些情况下，承制和订购双方可以协商静电防护的设计加固要求。

GJB 548A-96  微电子器件试验方法和程序

GJB 597A-96  集成电路总规范

GJB 1649-93  电子产品防静电放电控制大纲

GJB 3007-97  防静电工作区技术要求

GJB/Z 86-97  防静电包装手册

加速寿命试验 accelerated life testing 受试产品的试验条件比规定的工作条件更为严酷的一种寿命试验。

抗静电性能 antistatic property 指防止静电荷生成和积聚的特性。抗静电材料使静电荷产生的可能性减至醉小。该性能不完全依赖于材料的电阻率。

组件 assembly 由能够拆散的一些元器件或分组件连结到一起以形成一种专门功能的组合物。

雪崩击穿 avalanche breakdown 由电场引起的碰撞电离使电荷载流子累积倍增所形成的一种击穿。

体击穿 bulk breakdown 由于局部高温引起金属化合金或杂质扩散使在参数方面发生变化的一种能量依赖型失效机理。

致命失效 catastrophic failure 因某项关键功能丧失导致的一种失效。

电量 charge 用以表征物体所带电荷数量的物理量。若在二个相互绝缘的导体之间，其电容为C，电压为V，导体上所贮存的电荷量为Q，则表达三者之间关系的公式为：Q（电量）=C（电容）×V（电压）。

带电器件模型 charged device model  一种表征特定的静电放电失效机理的模型。在该模型中，对地绝缘的器件被充电并被放电，引起一个短持续时间的放电脉冲。

静电放电敏感元器件、组件和设备的分级 classification of ESDS parts,assemblies and equipment  对于GJB 1649 规定的静电放电电压敏感的静电放电敏感元器件、组件和设备的分级。

静电放电敏感产品按敏感度电压被分级为：1级：损坏敏感的放电电压从0V~1999V。2级：损坏敏感的放电电压从2000V~3999V。3级：损坏敏感的放电电压从4000V~15999V。

注：对GJB 1649来说，敏感的静电放电电压为16000V或更高的元器件、组件和设备。被认为是对静电放电不敏感的。

分级试验 classification testing 通常指用来确定元器件静电放电敏感度级别的试验方法，该方法见GJB 1649附录A。

导（静）电材料 （electrostatic）conductive material 对静电放电防护来说，为具有下列特性的材料：表面导电型：具有的表面电阻率小于10⁵Ω/□的材料。体积导电型：具有的体积电阻率小于10⁴Ω·cm的材料。

电晕放电 corona discharge 由导体周围的空气电离引起的一种发光放电。

衰减时间 decay time 带电体上的电压下降到其起始值的给定百分数所需要的时间。

器件 evice 指像微电路或半导体器件一类的产品。

介质击穿 dielectric breakdown 由于超载电压引起的某种绝缘材料的失效。

（静电）耗散材料 （electrostatic） dissipative material 对静电放电防护来说，来具有下述特性的材料：表面导电型：具有的表面电阻率等于或大于10⁵Ω/□但小于10¹²Ω/□的材料。体积导电型：具有的体积电阻率等于或大于10⁴Ω·cm但小于10¹¹Ω·cm的材料。

大地电极 earth electrode 埋于地下与大地保持良好的电气连接的金属体或金属体阻。它可以是杆状的、板状的或网状的，为接地系统提供接大地的基准点。

电场 electric field 一种区域状态，在该区域状态中，带电物体由于其电荷而受到力的作用。

电气和电子元器件 electrical and electronic part 指像微电路、半导体分立器件、电阻器、电容器、或压电晶体一类的元器件。

静电荷  electrostatic charge 处于静止状态的电荷，负的或正的电荷存在于材料或物品的表面上。

静电放电 electrostatic discharge 两个具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电场感应引起的两物体间的静电电荷的转移。

静电放电敏感 electrostatic discharge sensitive 产品的性能将被ESD事件影响或损坏的相对可能性。

静电场 electrostatic field 在静电带电的表面之间的电压梯度。

静电屏蔽板 electrostatic shield 一个防止静电场穿透的挡板或包皮。

静电 electrostatic 一种处于相对稳定状态的电荷，它所引起的磁场效应较之电场效应可以忽略不计。静电现象是借助于静电荷的存在和这些电荷的相互作用来辨别的那类现象，这种相互作用完全因为电荷自身和它们的位置，而不是因为它们的运动。

设备 equipment 通常能够在各种情况下独立运行的装置或装配在一起具有独立功能的钓具元器件、分组件和组件的组合。

防静电工作区 ESD protected area 配备各种防静电设备和器材、能限制静电电位、具有确定边界和专门标记的适于从事静电防护操作的场所。

静电放电防护操作 ESD protective handling 以防止ESD损害的方式对材料和设备进行处理或操作。

静电放电防护材料 ESD protective material 具有下述一种或多种特性的材料：限制静电荷的发生；耗散静电荷；或对静电场提供屏蔽。对于手册而言，静电放电防护材料分为导静电性的或耗散性的。

静电放电防护包装 ESD protective packaging 使用静电放电防护材料，使静电放电三系产品受静电放电损害的可能性减至醉小的包装。

静电放电敏感度级别 ESD sensitivity classification 电子元器件、组件和设备依据其对静电放电损坏的敏感性进行的敏感度分级。

电场感应模型 field induced model 用来表征电气浮地器件的一种模型，此器件置于一静电场中然后去接触另一个物体引起静电放电。

地 ground 能供给或接受大量电荷的物体如大地、舰船或运载工具外壳等。

接地 grounding 电气连接到能供给或接受大量电荷的物体如大地、舰船或运载工具外壳等。

硬接地 hard ground 直接与人地电极作导电性连接的一种接地方式。

操作 handling 在静电放电敏感电子产品的制造、老化、筛选、检测、装联、包装、贮存、修理和失效分析等过程中，直接或间接地作用于产品的有效活动。

人体模型 human body model 利用一只1500Ω电阻器串联一只100pF电容器来表征的一种标准化了的试验模型。

感应 induction 在不进行直接接触的情况下，一个电荷在其附件的物体上借以建立起电荷的过程。

输入防护 input protection 在产品的输入端用来防止电气损坏的一种防护网络。

绝缘材料 insulative material 就静电放电防护而言，未被定义为导静电性的或耗散静电性的材料被认为是绝缘材料。

防护贮存 protective storage 在使用静电放电防护罩或包装包裹的情况下，静电放电敏感产品的贮存。

电阻率 resistivity 对于通过材料的电流即包括体积电流也包括表面电流的电阻的一种量度。表面电阻率是直流电场强度对材料表面电流线密度的比值。表面电阻率（pb）的测量单位是欧姆每平方，体积电阻率是跨越和一个样品接触的二个电极施加在材料的每单位厚度上的直流电压对于通过此材料的每单位面积上流过的电流总和的比值。体积电阻率（pv）的测量单位是欧姆·厘米。

软接地 soft ground 通过一足以限制流过人体的电流达到安全值的电阻连接到大地电极的一种接地方式。

静电屏蔽材料 static shielding materisals 防止静电放电或静电通过、穿入的材料，或不允许通过此材料损伤被保护物。

分组件 subassembly 作为一个整体、形成组件或单元可替换件的一部分、由二个或更多的零件组成的制件，但具有一个或多个单独替换的零件。

技术数据 tehnical data 指用于某一项专门目的的科学或技术性质的记录信息与记录的形式或获得记录的方法无关。

技术数据包 technical date pocltnge 由适用于支撑产品目标的计划、设计、生产工程的技术描述和逻辑支持件所组成，它包括所有可适用的技术资料，例如图样、相关明细表格、规范、标准、性能要求、质量保证规定、包装和操作细节。

摩擦电效应 triboelectric effect 通过摩擦或其他接触分离形式在物体上产生静电荷的一种效应。

缩写词：CCM charged chip model 带电芯片模型；CDM charged device model 带电器件模型；

CMOS compiementary metal-oxide-semiconductor 互补金属-氧化物-半导体。DIP dual-in-line package 双列直插式封装。

EBP earth bonding point 接地连接点；ECL emitter coupled logic 发射极耦合逻辑；EMC electromagnetic compatibility 电磁兼容性。

EMP electromagnetic pulse 电磁脉冲；EPA electrostatic discharge protected area 防静电工作区。

EPROM erasable programmable read only memory 可擦可编程只读存储器；ESD electrostatic discharge 静电放电。

ESDS electrostatic discharge sensitive 静电放电敏感；FET field effect transistor 场效应晶体管。

FIM field induced model 电场感应模型；GFCI ground fault circuit interrupter 接地故障电路断路器。

HBM human body model 人体模型；HMOS high density metal-oxide-scmiconductor 高密度金属-氧化物-半导体。

JFET junction field effect transistor 结型场效应晶体管；LRU line or lowest replaceable unit 线路或低或替换单元。

LSI large scale integration 大规模集成；LSTTL low-power Schottky transistor-transistor logic 低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑。

MM machine model 机械模型；MIS metal-isolator-semiconductor 金属-绝缘体-半导体；MNOS metal-nitride-oxide-semiconductor 金属-氮化物-氧化物-半导体。MOS metal-oxide-semiconductor 金属-氧化物-半导体。